IDEC SA1E-TN2P-2M SENSOR FOTOELECTRICOIDEC SA1E TN2P 2M SENSOR FOTOELECTRICO Tipo Through beam (haz atravesado) Salida NPN (en TN2) o PNP (en caso del sufijo P) Modo de operacin Dark ON (es decir, cuando el haz es interrumpido) Tensin de alimentacin 10 a 30 V DC (normalmente en rango 12 a 24 V DC) Corriente (consumo) Receptor: ~ 20 mA (aprox.) Distancia de deteccin (alcance) Con sensibilidad ajustable: hasta 10 m tpicamente para versiones IR through beam EQUIPO USADO FUNCIONANDO

25 veces el voltaje nominal (Us)

Salida: transistor NPN de colector abierto

0 kW (sobrecarga baja)

5V DC 200kHz

-20 °C hasta +60 °C

número de catálogo o referencia de ingeniería AS-BDEP-218 (AS-BDEP-218 / DEP 218)

3 con electrónica de control avanzada)

los bloques de contacto

REXROTH PSM01

Emisión Salida PNP

así como múltiples entradas y salidas analógicas y digitales totalmente programables para lazos de control PI (control de presión

Producto eliminado